{"id":8105,"date":"2025-10-13T20:35:23","date_gmt":"2025-10-13T18:35:23","guid":{"rendered":"https:\/\/evm.ch\/fotograf-in-luzern\/?p=8105"},"modified":"2026-02-22T13:07:39","modified_gmt":"2026-02-22T12:07:39","slug":"sensortechnologie-wie-gehts","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/evm.ch\/fotograf-in-luzern\/sensortechnologie-wie-gehts\/","title":{"rendered":"Sensortechnologie – wie gehts?"},"content":{"rendered":"\n

Sensortechnologie in der Fotografie (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) wandelt Licht in elektrische Signale um. Jeder Pixel besteht aus einer Fotodiode<\/strong>, die einfallendes Licht in Ladung umsetzt, und aus Transistoren<\/strong>, die diese Ladung auslesen und verst\u00e4rken. Die Signale werden dann digitalisiert und zu einem Bild zusammengesetzt.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/a><\/figure>\n\n\n\n

Vorteile sind der geringe Energieverbrauch<\/strong>, die hohe Integrationsdichte<\/strong> (AF- und Ausleseschaltungen direkt auf dem Chip) und die schnelle Auslesung<\/strong>. Nachteile gegen\u00fcber teureren BSI- oder Stacked-Sensoren sind eine etwas geringere Lichtausbeute<\/strong> und h\u00f6heres Rauschen<\/strong> bei wenig Licht.<\/p>\n\n\n\n

Ein Backside Illuminated CMOS-Sensor (BSI-CMOS)<\/strong> funktioniert \u00e4hnlich wie ein herk\u00f6mmlicher CMOS-Sensor, jedoch ist seine Schichtstruktur umgekehrt<\/strong>: Die lichtempfindlichen Fotodioden<\/strong> liegen auf der dem Licht zugewandten Seite, w\u00e4hrend die Verdrahtungsschicht auf die R\u00fcckseite verlegt ist. Dadurch erreicht mehr Licht die aktiven Pixel, was die Lichtausbeute<\/strong> und damit die Empfindlichkeit und Bildqualit\u00e4t bei schwachem Licht<\/strong> deutlich verbessert. Zudem erm\u00f6glicht die Bauweise schnellere Auslesung<\/strong> und geringeres Rauschen<\/strong> als bei herk\u00f6mmlichen Frontside-CMOS-Sensoren.<\/p>\n\n\n\n

Ein Stacked CMOS-Sensor<\/strong> besteht aus mehreren \u00fcbereinanderliegenden Schichten<\/strong>: einer oberen Schicht mit den Fotodioden<\/strong> zur Lichtaufnahme und einer darunterliegenden Schicht mit der Signalverarbeitung und Speicherzellen (DRAM)<\/strong>. Diese Trennung erm\u00f6glicht eine parallele, extrem schnelle Auslesung<\/strong> der Bilddaten, wodurch Rolling-Shutter-Effekte<\/strong> stark reduziert oder eliminiert werden. Zudem erlaubt die Architektur h\u00f6here Serienbildgeschwindigkeiten<\/strong> und fortgeschrittene Videoaufnahmen<\/strong> bei gleichzeitig sehr guter Bildqualit\u00e4t.<\/p>\n\n\n\n

Wohin geht die Reise<\/h2>\n\n\n\n

Die Entwicklung bei CMOS-Sensoren geht aktuell in mehrere spannende Richtungen \u2013 viele davon schon in Forschung oder in Prototypen, einige nahe der Praxis. Hier sind die wichtigsten Trends und Entwicklungen:<\/p>\n\n\n\n

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Aktuelle Trends & Forschungsschwerpunkte<\/h2>\n\n\n\n
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  1. Global Shutter Ausbau<\/strong>\n